GaNのエピタキシアル ウエファー

(68)

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FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: 3-4 week days

ブランド: GaNova

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ハイライト:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... もっと見る

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Sicのエピタキシアル ウエファー

(42)

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2インチ パワーデバイス 高電子移動性トランジスタ エピタキシアル・ウェーファー

価格: Negotiable

MOQ: 5

納期: Negotiable

ブランド: Ganova

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ハイライト:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る

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GaAsエピウェーハ

(15)

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JDCD10-001-004 2インチガア (111) シドープされた基板

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: 3-4 week days

ブランド: GaNova

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ハイライト:2 "シドープされた基板, Si ドーピング 基質 2 インチ

2inch GaAsの（111の） Si添加された基質 概観 GaAsのウエファーのガリウムは半導体、バロメーター、発光ダイオード、温度計および電子回路の生産で使用される一般にある。それは破片で同様に使用されることを容易にするかなり柔らかいおよび銀色の金属。一種のポストの過渡的な金属であるガリウム要素に地球の金属のほとんどと容易に結ぶ機能がある。それは低い溶ける合金の生産で非常に配置される。 GaAs Siウエファー 成長方法 VGF 行ないのタイプ S-C-N ... もっと見る

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CVDダイヤモンド基板

(15)

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JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N Content<100ppbのXRD<0.015ºの熱伝導性

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: 3-4 week days

ブランド: GaNova

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ハイライト:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond

10*10mm2*0.3mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N内容<100ppb> 概観Single-crystalダイヤモンドのウエファーは両方の重大な前進を5Gコミュニケーションおよび衛星に使用するRF力の技術可能にする;電気自動車で使用されるパワー エレクトロニクスでと同様。CVDは新しいダイヤモンドを形作るためにダイヤモンドの始動機のまわりで積む炭素原子に「化学気相堆積を」、メタンのような天燃ガスを破壊するプロセス意味する。処理は着色を除去するために水晶が熱および圧力処置を経る真空槽に起こる。 指定 特性 総合的なダイヤモン... もっと見る

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急速な熱焼きなましシステム

(2)

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RTP-SA-8 焼却システム

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: 3 month

ブランド: Ganova

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ハイライト:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... もっと見る

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ホール効果センサーテスター

(3)

- visits

Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity Measurement

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: 8-10week days

ブランド: GaNova

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ハイライト:Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity, carrier concentration hall effect instrument, Hall Effect Sensor Tester semiconductor

Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester mobility resistivity measurement Product Overview: Hall effect tester is used to measure the carrier concentration, mobility, resistivity, Hall coefficient and other important parameters, and these parameters of semiconductor materials to understand the ele... もっと見る

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窒化アルミニウムのウエファー

(21)

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ALN 10*10mm2 AlN シングルクリスタル 400±50μM S/P/Rグレード

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: Negotiable

ブランド: GaNova

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ハイライト:ALN aluminum nitride wafer, 2H aluminum nitride wafer, 10*10mm2 aln wafer

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... もっと見る

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半導体レーザーの破片

(10)

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94um Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: Negotiable

ブランド: GaNova

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ハイライト:94um Laser Diode Chip, high power laser diode chip, 1.0W/A Laser Diode Chip

94μm Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design For low power consumption it is essential that the output from the laser diode (LD) is efficiently coupled to the optical waveguide, and there are several approaches reported in the liter... もっと見る

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炭化ケイ素の水晶

(12)

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JDZJ01-001-006 SiCシードクリスタル Sグレード 6" Φ153±0.5mm

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: 3-4 week days

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ハイライト:6インチシリウムシード結晶, SグレードのSiCシードクリスタル, φ153±0.5mm SiCシードクリスタル

SiCの種結晶Sの等級6" Sの等級φ153±0.5mm SiCはアヴァランシェ・ブレークダウンを経ないでSiかGaAsより8倍より大きい上の電圧勾配（か電界に）抗できる。この高い故障の電界はダイオードのような非常に高圧、強力な装置、力のtransitors、力のサイリスタおよびサージ サプレッサー、また高い発電マイクロウェーブ装置の製作を可能にする。さらに、それは装置が非常にすぐそばに置かれるようにし高い装置記録密度を集積回路に提供する。 等級 Sのレベル Sのレベル 種結晶の指定 6" SiC 6" SiC ... もっと見る

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Ga2O3 ウエハー

(13)

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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: 3-4 week days

ブランド: GaNova

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ハイライト:単結結晶基板の自由立体ガオ3, 製品グレード 単結晶基板 Ga2O3, 10x10mm2 Ga2O3 シングルクリスタル基板

10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 厚さ 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm 抵抗 1.53E+18Ω/cm-3 光電子デバイス、半導体材料の絶縁層、およびUVフィルター   シリコンベースのデバイスは比較的効率的なデバイスを製造することができましたが、窒化ガリウムの改善された特性により、熱によるエネルギー損失がはるかに少ないという利点が GaN 半導体にもたらされます。バンドギャップが広いため、GaN デバイスはシリコンよりもはるかに高い温度に耐えることができ、お気に入りのデバイス全体でより高い... もっと見る

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シリコンの薄片

(26)

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JDCD06-001-004 5インチ シリコン・ウェーファー MEMSデバイス 集積回路 専用基板 ディスクレートデバイス

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: 3-4 week days

ブランド: GaNova

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ハイライト:集積回路 シリコン・ウェーファー, 機密デバイス シリコン・ウェーバー, 5インチのシリコン・ウェーファー

5インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板   概要 シリコン結晶は金属のように見えますが、完全な金属ではありません。原子間を容易に移動する「自由電子」により、金属は電気の良導体であり、電気は電子の動きです。一方、純粋なシリコン結晶はほぼ絶縁体です。それを通過する電気はほとんどありません。ただし、これはドーピングと呼ばれるプロセスによって変更できます。 シリコンウエハーは、私たちの生活を豊かにするあらゆる電子機器に使われている半導体の製造に欠かせない材料です。日常生活の中で実際のシリコンウェーハに触れる機会はほとんどありません。   仕様 ... もっと見る

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サファイアのウエファー

(19)

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JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー

価格: Negotiable

MOQ: Negotiable

納期: Negotiable

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ハイライト:6inch Sapphire Substrate Wafer

JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー サファイアは耐久性のダイヤモンドにだけ二番目にあるダイヤモンドはミネラル硬度のMohsスケールの10から10として地球およびランクの耐久の自然発生する要素である。サファイアはまたMohsスケールの10から9として非常に耐久そして臭い。 オンライン源からのそして従来の小売店のほぼすべてのサファイアそしてサファイアの宝石類は「自然」ように記述されている。 6inch C平面の高い純度Al2O3の基質 変数 指定 ... もっと見る

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模造されたサファイアの基質

(10)

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UKAS Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: Negotiable

ブランド: GaNova

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ハイライト:UKAS Patterned Sapphire Substrates, al2o3 substrate 430um, Patterned Sapphire Substrates OEM

50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle A-Plane±0.2o 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material The efficacy enhancement of GaN-based LEDs with the patterned-sapphire substrate technique is generally attributed to the improvement in both light extraction effic... もっと見る

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テフロン ウエファーのホールダー

(1)

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花のバスケットおよびハンドルをきれいにする6inchテフロン ウエハー ホールダー

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: Negotiable

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ハイライト:6inch Wafer Holder, wafer cassette carrier, 25 PCS Wafer Holder

6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base and heat up to 200~220℃, use to deliver wafers in acid & base process of Fabrication f... もっと見る

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ウェーハダイシングマシン

(5)

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0.1mm/s To 600mm/s Wafer Dicing Machine X Axis Cutting Range 260mm

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: 8-10week days

ブランド: GaNova

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ハイライト:0.1mm/s Wafer Dicing Machine, wafer saw machine 260mm, 600mm/s Wafer Dicing Machine

DAD3350 Wafer Dicing Machine 0.1 ～ 600mm/s X-Axis Cutting Range 260mm Improved throughput The DAD3350 achieves improvement in throughput by increasing the speed of each axis. Ease of use Operability is improved with installation of an LCD touch screen and Graphical User Interface (GUI). Easy operati... もっと見る

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