IGBT 電源モジュール

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中国 6MBP50RA060-01 IGBT力モジュールIPM-Nのねじ込み式接続方式の金属材料 販売のため

6MBP50RA060-01 IGBT力モジュールIPM-Nのねじ込み式接続方式の金属材料

価格: negotiable
MOQ: 1 piece
納期: 2-3 working days
ブランド: Fuji Electric
ハイライト:高い発電の igbt モジュール, ダイオード橋モジュール
6MBP50RA060-01 IGBT力モジュールIPM-N 600V 50A 特徴·温度の保護は直接接続点を検出することによって提供しましたIGBTsの温度·低い電力の損失および柔らかい切換え·過熱する保護の高性能および高い信頼性IGBT·部品の総計の大きい減少のためにより高い信頼性組込み制御回路 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND UPC2758TB-E3-A RENESAS   T495C106M025ATE450 KEMET 2SC2482 東芝 ... もっと見る
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中国 HCPL-0453-500Eの高速オプトカプラー 販売のため

HCPL-0453-500Eの高速オプトカプラー

価格: negotiate
MOQ: negotiate
納期: Negotiable
ブランド: AVAGO
ハイライト:HCPL-0453-500Eの高速オプトカプラー, AVAGOの高速オプトカプラー, HCPL-0453-500Eの電子部品
HCPL-0453-500Eの高速オプトカプラー 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 部品番号 MFG/BRAND ICS86962CYI01 ICS MSP430F135IRTDR チタニウム HT1621B HOTEK TC7SG04FE TOS GS8322Z36AGD-200 GSI MP1043ES-LF-Z MPS PI74FCT3244Q PI MAX6501UKP065+T 格言 MJD31C... もっと見る
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中国 FIN1031MTXの高速差動運転者 販売のため

FIN1031MTXの高速差動運転者

価格: negotiate
MOQ: negotiate
納期: Negotiable
ブランド: FAIRCHILD
ハイライト:FIN1031MTXの高速差動運転者, FIN1031MTXの差動運転者, FIN1031MTXの高速運転者
FIN1031MTXの高速差動運転者 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 部品番号 MFG/BRAND MT6582V/UA MTK MAX251CSD-T 格言 N25Q256A13EF840F ミクロン LM2675MX-5.0/NOPB チタニウム G923-470T1UF GMT XC2VP20-6FGG676C XILINX CM1218-C45E CMD USB2503-HZH SMSC C... もっと見る
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中国 FF600R12KE4 IGBTモジュールの中型力62MM 販売のため

FF600R12KE4 IGBTモジュールの中型力62MM

価格: negotiate
MOQ: negotiate
納期: Negotiable
ブランド: INFINEON
ハイライト:FF600R12KE4 IGBTモジュール, FF600R12KE4 IGBT力モジュール, 62MM IGBT力モジュール
FF600R12KE4 IGBTモジュールの中型力62MM 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 部品番号 MFG/BRAND LT1085CT-3.3 中佐 MIC29300-5.0WT MICREL RTD1073MD-GR REALTEK MD7IC2050NR1 FREESCALE APE8953MP APEC IPG20N06S2L-35A INFINEON XC6210A302DR-G TOREX G1... もっと見る
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中国 FF300R12ME4 IGBTモジュールIGBT 1200V 300A 販売のため

FF300R12ME4 IGBTモジュールIGBT 1200V 300A

価格: negotiate
MOQ: negotiate
納期: Negotiable
ブランド: INFINEON
ハイライト:FF300R12ME4 IGBTモジュール, IGBTモジュール1200V 300A, 1200V 300A IGBT力モジュール
FF300R12ME4 IGBTモジュールIGBT 1200V 300A 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 部品番号 MFG/BRAND MX25L6445EMI-10G MXIC ADS6245IRGZR チタニウム HS00-99657LF BI ADS54T02IZAY チタニウム HF507S-51- 02(01) YAMAICHI ICL3237IAZ-T INTERSIL AM5868SL/F AMTEK ... もっと見る
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中国 FF300R12KT4 IGBTモジュールIGBT 1200V 300A 販売のため

FF300R12KT4 IGBTモジュールIGBT 1200V 300A

価格: negotiate
MOQ: negotiate
納期: Negotiable
ブランド: INFINEON
ハイライト:FF300R12KT4 IGBTモジュール, IGBTモジュール1200V 300A, FF300R12KT4 IGBT力モジュール
FF300R12KT4 IGBTモジュールIGBT 1200V 300A 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 部品番号 MFG/BRAND 88E3019-A0-NAJ2C000 MARVELL CX28380-16 MNDSPEED SAF7741HV/125 CS9211-VNG NSC NJM2368E JRC C10P20FR NIEC RDC19222-203 DDC AD8130AR-REEL7 ... もっと見る
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中国 FF200R12KT4 IGBTモジュールN-CH 1.2KV 320A 販売のため

FF200R12KT4 IGBTモジュールN-CH 1.2KV 320A

価格: negotiate
MOQ: negotiate
納期: Negotiable
ブランド: INFINEON
ハイライト:FF200R12KT4 IGBTモジュール, IGBTモジュールN-CH, IGBTモジュール1.2KV 320A
FF200R12KT4 IGBTモジュールN-CH 1.2KV 320A 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 部品番号 MFG/BRAND BLF3G21-6 88F6510-A0-BKT2C080 MARVELL XRT7300IVTR EXAR TPS62380YFFR テキサス SN74AUC1G32DCKR チタニウム STLC5465B ST MX25L6405DMI-12G MX LMP2232BMA ... もっと見る
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中国 FP15R12W1T4 IGBT力モジュール、ダイオード橋モジュール15Aの真新しい状態 販売のため

FP15R12W1T4 IGBT力モジュール、ダイオード橋モジュール15Aの真新しい状態

価格: negotiable
MOQ: 1 piece
納期: 2-3 working days
ブランド: Infineon
ハイライト:高い発電のigbtモジュール, ダイオード橋モジュール, FP15R12W1T4 IGBT力モジュール
FP15R12W1T4 IGBT力インバーター モジュール1200V 15A 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND DTC143ZUAT106 ROHM   LTC3375EUK#TRPBF 線形 RT9011-MGGQWC RICHTEK   LM385BM-2.5 NS NBC12430G   CD4069UBCMX FAI H5PS1G63EFRG7C HYNIX   BF770A... もっと見る
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中国 3- 橋IGBT力モジュール1600V SEMIKRON 68A SK70DT16を段階的に行なって下さい 販売のため

3- 橋IGBT力モジュール1600V SEMIKRON 68A SK70DT16を段階的に行なって下さい

価格: negotiable
MOQ: 1 piece
納期: 2-3 working days
ブランド: Semikron
ハイライト:mosfet力モジュール, 高い発電のigbtモジュール, 3段階橋IGBT力モジュール
SK70DT16 3段階橋モジュールSEMIKRON 68A 1600VおよびSK70DT08 SK70DT12 Semikron、SK70DT16、サイリスタ モジュールSCR、68A 1600V、13 Pin SEMITOP3 プロダクト細部 SKシリーズ 3位相制御橋整流器1600V逆電圧までガラスによって不動態化されるサイリスタの破片コンパクト デザイン1つのねじ土台承認 UL 承認 UL E63532 単相および3段階十分に隔離された支承板が付いている橋整流器を制御しました。接続オプションはFaston (はんだの先端と)およびねじ込み端... もっと見る
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中国 Nシリーズ320W IGBT力モジュール2MBI75N-060の低い飽和電圧 販売のため

Nシリーズ320W IGBT力モジュール2MBI75N-060の低い飽和電圧

価格: negotiable
MOQ: 1 piece
納期: 2-3 working days
ブランド: Fuji Electric
ハイライト:mosfet力モジュール, 高い発電のigbtモジュール, IGBT力モジュール2MBI75N-060
2MBI75N-060 IGBT力のダイオード モジュール600V 75A IGBTモジュール(Nシリーズ)nの特徴•正方形RBSOA•低い飽和電圧•より少ない全体の電力損失•改善されたFWDの特徴•最小にされた内部外部インダクタンス•過電流制限機能(~3回は流れを評価しました)n適用•高い発電の切換え•A.C.運動制御•D.C.運動制御•無停電電源装置 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND MT1389FE/BCS2L MIT   MT5330AKR MS... もっと見る
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中国 6MBP100RTA060-01高い発電IGBTモジュール100A 347W IPM-N 600V 100A 販売のため

6MBP100RTA060-01高い発電IGBTモジュール100A 347W IPM-N 600V 100A

価格: negotiable
MOQ: 1 piece
納期: 2-3 working days
ブランド: Fuji Electric
ハイライト:mosfet力モジュール, ダイオード橋モジュール, 6MBP100RTA060-01高い発電IGBTモジュール
6MBP100RTA060-01 IGBT力モジュールIPM-N 600V 100A 特徴·温度の保護は直接接続点を検出することによって提供しましたIGBTsの温度·低い電力の損失および柔らかい切換え·過熱する保護の高性能および高い信頼性IGBT·部品の総計の大きい減少のためにより高い信頼性組込み制御回路 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND EL4093CS EL   TEA1791AT/N1 AR7645-LF HIMARK   L... もっと見る
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中国 回路の制御フィールド停止IGBT力トランジスターFGH60N60SMD 600V 60A 販売のため

回路の制御フィールド停止IGBT力トランジスターFGH60N60SMD 600V 60A

価格: negotiable
MOQ: 30 pieces
納期: 1-2 working days
ブランド: Fairchild/ON
ハイライト:mosfet力モジュール, ダイオード橋モジュール, IGBT力トランジスター600V 60A
FGH60N60SMD 600V 60Aの視野絞りIGBT力トランジスター 特徴 •最高の接合部温度:TJ =175oC •容易な平行操作のためのTemperaure肯定的な係数•高い現在の機能 •低い飽和電圧:VCE (坐る) =1.9V (Typ。) @ IC = 60A •高い入力インピーダンス•速い切換え •変数配分をきつく締めて下さい •RoHSの迎合的な適用•太陽インバーター、UPS、SMPS、PFC •誘導加熱 新しい視野絞りIGBTの技術を使用して、フェアチャイルドの視野絞りIGBTsの新シリーズは低い伝導および切換えの損失が必要である太陽インバー... もっと見る
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中国 高性能IGBT力モジュール2270W 1mA半分橋構成 販売のため

高性能IGBT力モジュール2270W 1mA半分橋構成

価格: USD 99.0 per piece
MOQ: 1 piece
納期: 1-3 working days
ブランド: KOBEN
ハイライト:mosfet力モジュール, 高い発電のigbtモジュール, IGBT力モジュール2270W
部分の状態 活動的 IGBTのタイプ - 構成 半分橋 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 1200V 現在-コレクター((最高) IC) 300A パワー最高 2270W Vce () (最高) @ Vge、IC 2.25V @ 15V、300A 現在-コレクターの締切り(最高) 1mA 入力キャパシタンス(Cies) @ Vce 30nF @ 10V 入力 標準 NTCのサーミスター ... もっと見る
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中国 シャーシはMosfet力モジュールN-チャネル500V SOT227B IXFN48N50を取付けます 販売のため

シャーシはMosfet力モジュールN-チャネル500V SOT227B IXFN48N50を取付けます

価格: USD 3.99~7.99 per piece
MOQ: 10 pieces
納期: 2-3 working days
ブランド: IXYS
ハイライト:mosfet力モジュール, 高い発電のigbtモジュール, シャーシの台紙Mosfet力モジュール
部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 MOSFET (金属酸化物) 流出させて下さいに源の電圧(Vdss) 500V 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 48A (Tc) 運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを) 10V Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 8mA 充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい 270nC @ 10V Vgs (最高) ±20V ... もっと見る
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