充電堆のための高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETクールモス
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ブランド: Lingxun
ハイライト:Cool Mos Super Junction MOSFET, Charging Pile Super Junction MOSFET, Fast Switching Super Junction MOSFET
充電堆のための高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETクールモス
製品説明:
スーパー・ジャンクション MOSFETは高密度のスーパー・ジャンクション設計を特徴とし,オン・ステート効率のRdson,A性能がはるかに低いことを可能にします.MOSFETは高効率で動作できるさらにこのMOSFETは100%の雪崩テストを受けています高電圧のピークや他の電気的ストレスを耐えるようにする.
N型MOSFETとして,スーパージャンクションMOSFETは,幅広いアプリケーションで優れたパフォーマンスを提供することができます.電気通信システムこのMOSFETは優れた選択です. 高性能,信頼性,効... もっと見る
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超低内抵抗 高電圧 MOSFET TO-220F 充電台用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:低内抵抗 高電圧MOSFET, 充電台 高電圧MOSFET, 高電圧MOSFET TO-220F
充電台用の超低内抵抗高電圧MOSFET
特徴
• ゲート 料金 の 低さ
•チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM)
• 切り替えと伝導損失が非常に少ない
• 非常高い変換耐久性
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
• 電気通信/サーバーの電源
• AC-DC 電源
サポートとサービス
シリコンカービッド MOSFET 技術サポートとサービス
私たちの技術サポートとサービスチームは,あなたのシリコンカービッドMOSFET製品であなたを助けるためにここにあります.私たちはあなたのニーズを満たすために様々なリソースを提供し... もっと見る
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多機能低電圧MOSFET シンクロン直線
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ブランド: Lingxun
ハイライト:多機能低電圧MOSFET, 低電圧MOSFET, 同期直直し低功率モスフェット
電力管理のための多機能低電圧MOSFET
特徴
• 進んだ 溝 技術
•優れたRDS (RDS) ONと低ゲートチャージ
応用
• 負荷スイッチ
• PWM の 応用
• 電力管理
パッケージ:
PDFN5*6
パッケージの概要 寸法 ミリメートル
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30Vgs ストレージ ゲート ソース ストレージ DC モーターのための高電力 MOSFET
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ブランド: Lingxun
ハイライト:30Vgs 高功率MOSFET, DCモーター高功率MOSFET, DCモーター N型MOSFET
30Vgs ストレージ ゲート ソース ストレージ DC モーターのための高電力 MOSFET
応用:
高電源MOSFETは,高電源処理,高周波電源インバーター,およびダブルチャネルMOSFETを必要とするさまざまな場合やシナリオで広く使用されています.モータードライブこの製品は高効率で信頼性があり,工業および商業用アプリケーションに理想的な選択となります.
サポートとサービス
高性能MOSFET製品では 優れた技術サポートとサービスを提供し 製品から最高の性能と信頼性を保証します専門家のチームは,製品選択のサポートを提供することができますまた,データシート,アプリケーションノート... もっと見る
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増強モード パワーNチャンネル IGBT 6A 650V 掃除機用
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ハイライト:Nチャンネル IGBT 6A, Nチャネル IGBT 650V, 掃除機 Nチャネル IGBT
6A 650V Nチャネル強化モード 電源 IGBT 掃除機用
主要な特徴
IC @TC=100°C
6A
VCE
650V
VCE (sat) 型
1.70V
特徴
• 高耐久性性能
• 非常に狭いパラメータ分布
• 陽性 VCE (sat) 温度係数
• 運動制御の高効率性
• パラレル運用における優れた電流共有
• RoHS に準拠する
応用
• 医療機関家電
• モーター 駆動
• 扇風機,ポンプ,掃除機
Q1. 私たちは誰ですか?
A: 私たちは,中国,広東に拠点を置く,工場は2012年から開始, パワー半導... もっと見る
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モーター制御 穴式マウント IGBT インバーター 切り替え周波数 20KHz-60KHz
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ブランド: Lingxun
ハイライト:穴を設置するIGBTインバーター, モーター制御 IGBT インバーター, IGBTインバーター 60KHz
ホールマウントインバーターを通してモーター制御 IGBT 切り替える周波数
製品説明:
インバーターIGBTは,20KHz-60KHzのスイッチング周波数範囲で,高周波アプリケーションに最適です.これはモータードライブやその他の高速アプリケーションで使用するのに理想的です.高電流の負荷に対応するように設計されています電気自動車やその他の高電力用途に最適です
インバーター IGBT は TO-247 パッケージタイプで入手可能で,優れた熱性能と簡単に設置できます.空間が限られているアプリケーションで使用するのに理想的な選択です.
全体的に,インバーター IGBT は,モータードライブや新... もっと見る
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100% 雪崩テスト 通信サーバーの電源のためのスーパージャンクション MOSFET
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ブランド: Lingxun
ハイライト:100% Avalanche Testing Super Junction MOSFET, Telecom Server Power Supplies MOSFET
100% 雪崩テスト 超接線 MOSFET 通信サーバーの電源
製品説明:
この技術により 高電圧アプリケーションで優れた性能が得られる.モード電源で使用するために理想的な選択ですこの技術を活用することで,Lingxunは高性能と高効率の両方を提供する MOSFET を作成することができました.電力供給設計を最適化したい人のための優れた選択です.
リンクソンスーパージャンクションMOSFETのもう1つの重要な特徴は EMIの大きな利益率ですこれは,装置が高いレベルの電磁気干渉のある環境で信頼性のある動作が可能であることを意味します.EMIが大きな問題となるテレコムおよびサーバーアプリケーシ... もっと見る
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熱安定性 電池管理のための高電圧MOSFET
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ブランド: Lingxun
ハイライト:熱安定性 高電圧MOSFET, バッテリー管理 高電圧MOSFET, バッテリー高 VGS モスフェット
熱安定性 電池管理のための高電圧MOSFET
製品説明:
高圧MOSFETは,ゲート源電圧が ± 30Vで,様々な高圧アプリケーションに適しています.電子を伝導する能力があるということです.
高圧MOSFETの特徴の一つは 低オン抵抗性で 動作中に最小限の電源損失を保証します さらに100%の雪崩テストを受けています高電圧アプリケーションにおける信頼性と安全性を確保する.
MOSFETは低Cissも有し,入力と出力間の容量が低いことを意味します. これはより速いスイッチ速度を可能にするため重要な属性です.ソーラーインバーターなどの用途に最適です音声増幅器とLEDドライバ
信頼性があり 耐久性... もっと見る
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電力管理のためのマルチシーンの低電圧NチャネルMOSFET
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ブランド: Lingxun
ハイライト:低電圧 Nチャネル MOSFET, パワー管理 Nチャネル MOSFET, マルチシーンの低VGS Nチャンネル モスフェット
電力管理のためのマルチシーンの低電圧MOSFET Nチャネル
製品説明:
この製品の主要な利点の1つは,最大限のパフォーマンスと効率を保証する高速スイッチです. さらに,このMOSFETはRoHS準拠です.鉛のない環境に優しい.
電動工具の効率を向上させたり システム内の電力消費を削減したい場合でも 低電圧MOSFETは優れた選択です高密度設計と信頼性の高い性能により,幅広い用途に理想的なソリューションです.
特徴:
製品名:低電圧MOSFET
効率: 高 効率 で 信頼 できる
抵抗: Rds (オン) 低
鉛のない状態: RoHS
材料: シリコン
利点: システム の 効率... もっと見る
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Nチャンネル増強モード 電源 MOSFET 11A 400V アダプタと充電器用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:強化モード パワー MOSFET 11A, 強化モード パワー MOSFET 400V, アダプタ Nチャネル MOSFET
Nチャンネル増強モード 電源 MOSFET 11A 400V アダプタと充電器用
主要な特徴
ID:11A
VDSS:400V
RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω
特徴
速やかに切り替える
低オン抵抗
低ゲートチャージ
100% シングル・プラスの雪崩エネルギーテスト
特徴
• 速やかに 切り替える
• 低 ON 抵抗
• 低ゲート 料金
• 100% シングルパルス 雪崩エネルギーテスト
応用
アダプターと充電器の電源スイッチ回路
メカニカルデータ
●ケース: 鋳造されたプラスチック
• 固定位置:任意
• 鋳造されたプラスチック: ... もっと見る
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スーパージャンクションNチャネルMOSFET 5A 650V 780mΩ 太陽光インバーター用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:スーパージャンクションNチャネルMOSFET, Nチャネル MOSFET 5A, Nチャネル MOSFET 650V
5A 650V 780mΩ Nチャネルスーパージャンクション MOSFET 太陽光インバーター用
NチャネルスーパージャンクションMOSFET
部品番号:LC65R900F
パッケージ:TO-220F
主要な特徴
私はD5A
VDSS: はい650V
RDSON型 VGS=10V:780mΩ
特徴
低RDS (オン) とFOM
切換損失が非常に低い
優れた安定性と均一性
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
電気通信/サーバーの電源
• AC-DC 電源
Q1. 私たちは誰ですか?
A: 私たちは,中国,広東に... もっと見る
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効率的な速度制御 閃光灯装置のための高電力IGBT TO-247
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ハイライト:フラッシュライト デバイス パワー IGBT, スピード制御 高功率 IGBT, フラッシュライト TO-247 IGBT
効率的な速度制御 フラッシュライト装置のための高電力IGBT
製品説明:
20KHz~60KHzの周波数帯で,このIGBTは,より高速なスイッチ速度と低いVCEを必要とする高電力アプリケーションに最適です. 650V~1200Vの電圧格付けがあります.高電圧スイッチ機能を必要とする幅広いデバイスで使用するのに理想的です.ハイパワー IGBT は,優れた熱性能を提供し,簡単にマウントおよびインストールできるようにする TO-247 パッケージタイプで提供されています.高温 や 厳しい環境 に 耐える よう 設計 さ れ て い ます産業や商業の様々な環境で使用するのに適しています.家電... もっと見る
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TO-247 IGBT パワー半導体インバーター 650V-1200V
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ハイライト:IGBT パワー半導体インバーター, IGBT パワー半導体 650V, IGBT パワーインバーター 1200V
TO-247 パワー半導体インバーター IGBT モジュール
製品説明:
600V の電圧評価により,このデバイスは,高い電圧の要求を容易に処理することができます.これは,設置と保守を容易にするThrough Hole マウントスタイルで設計されています..
インバーター IGBT は 50ns の逆回復時間を有し,高速アプリケーションで使用するのに最適です.この属性は,デバイスが電圧の変化に迅速に対応することを保証します.ニューエネルギー車両の 円滑な運行に不可欠です.
±20Vのゲート・エミッター電圧は,デバイスが最適なレベルで動作し,ニューエネルギー車両に電力を供給するために必要... もっと見る
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安定した高電圧冷却 モス TO-220F 工業自動化用
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ハイライト:高電圧冷却モス, 産業用モス TO-220F, クール モス TO-220F
安定した高電圧MOSFET 冷却モス 工業自動化
製品説明:
このMOSFETは高度な技術で 高速のスイッチと優れた性能を保証しています.光伏の用途に適している.
高電圧MOSFETは信頼性と効率性のある部品で,高速スイッチと高性能を提供します.その低オン抵抗は,最小限の電力損失で動作し,より少ない熱を生成することを保証します寿命が長くなります
高圧MOSFETは優れた選択です. それは耐久性のために構築され,例外的なパフォーマンスを提供します.エンジニアやデザイナーにとって 最高の選択肢です.
特徴:
製品名:高電圧MOSFET
ゲート・ソース電圧 (Vgs): ±30V
テクノロジ... もっと見る
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実用的な低電力モスフェットトランジスタ 20V 60V 無線充電用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:低電源モスフェットトランジスタ 20V, 低電源モスフェットトランジスタ 60V, 無線充電 低電力モスフェット
ワイヤレス充電のための実用的な低電力モスフェットトランジスタ 20V 60V
特徴:
製品名:低電圧MOSFET
利点: システム の 効率 向上
効率: 高 効率 で 信頼 できる
抵抗: Rds (オン) 低
材料: シリコン
電力消費: 低電力損失
熱耐性
自動車運転
先進的な溝技術
技術パラメータ:
効率性
高効率 で 信頼 できる
電力消費量
低電力損失
抵抗力
低Rds ((ON)
材料
シリコン
利点
システム の 効率 向上
鉛のない状態
RoHS
応用:
リンクソン低電圧MOSFETは,電源,DC-DCコンバーター,モータードライブなどの低電圧電源切換ア... もっと見る
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LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET
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ブランド: Lingxun
ハイライト:マルチシーンのスーパージャンクション モスフェット, LEDドライバースーパージャンクション モスフェット, ドライバー・スーパー・ジャンクション MOSFET
LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET
特徴
• ゲート 料金 の 低さ
•チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM)
• 切り替えと伝導損失が非常に少ない
• 非常高い変換耐久性
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
電気通信/サーバーの電源
• AC-DC 電源
サポートとサービス
シリコンカービッド MOSFET 技術サポートとサービス
私たちの技術サポートとサービスチームは,あなたのシリコンカービッドMOSFET製品であなたを助けるためにここにあります.私たちはあなたのニー... もっと見る
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ネットワークインフラストラクチャ用 IGBT 650V-1200V
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ハイライト:速速切換速度 パワー IGBT, ネットワークインフラストラクチャ パワー IGBT, 1200V 高電圧 IGBT
ネットワークインフラストラクチャのための IGBT デバイス製品説明:この製品は 650V~1200Vの電圧で 最も困難な作業でも対応できますより高速な切り替え速度により,高効率と迅速な応答時間を必要とするアプリケーションに最適です.高電力IGBT製品は,IGBTインバーター溶接機および電源ユニットで使用するのに最適です.そのTO-247パッケージタイプは,インストールと保守の容易さを保証します.この製品は20KHzから60KHzのアプリケーション周波数で動作することができ,幅広いアプリケーションに適しています.優れた性能 と 信頼性 は,高電力 と 高速度 を 要求 する 要求 の 高い ア... もっと見る
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便利な電子産業用 IGBT インバーター
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ブランド: Lingxun
ハイライト:電子産業用IGBT, 電子 IGBT インバーター, スピードを高速に切り替える IGBT インバーター
実用的な電子工業インバーター IGBTWith高速スイッチング速度
家電
• 高速切換 モーター駆動
• 扇風機,ポンプ,掃除機
• 一般型インバーター
陽性温度係数
• 速やかに 切り替える
低VCE (静止)
• 信頼 さ れ て 頑丈 な もの
家電
• モーター 駆動
• 扇風機,ポンプ,掃除機
• 一般型インバーター
Q1. 私たちは誰ですか?
A: 私たちは,中国,広東に拠点を置く,工場は2012年から開始, パワー半導体デバイスのパッケージングとテストに焦点を当てた国家ハイテク企業です.現在180以上の従業員と10000平方メートル以上の面... もっと見る
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TO-247 隔離ゲートバイポーラトランジスタ 650V-1200V 電源ユニット用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:TO 247 隔離されたゲート双極トランジスタ, 隔離ゲートバイポーラートランジスタ650V, 隔離ゲートバイポーラールトランジスタ 1200V
電力 速さ 切り替え 隔離 ゲート 二極 トランジスタ 電力 供給 ユニット
製品説明:
このIGBTデバイスは,20KHzから60KHzのアプリケーション周波数範囲に設計されています. 650V-1200Vの電圧評価があり,高電力アプリケーションに理想的です.より速いスイッチ速度で効率的な電力管理を保証し,電力損失を減らす.
高功率IGBTチューブTO-247は,高熱安定性と金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) 構造を特徴とする,隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT) の1種類である.この機能は,高電圧および電流アプリケーションで最高の熱安定性を保証します高電... もっと見る
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モータードライブと充電台のためのマルチスクリーンウルタ高電圧MOSFET
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MOQ: According to your order requirement
納期: According to your order requirement
ブランド: Lingxun
ハイライト:超高電圧MOSFET, 多局高電圧MOSFET, モータードライブ 高電圧MOSFET
モータードライブと充電台のためのマルチスクリーンウルタ高電圧MOSFET
製品説明:
このMOSFETの重要な特徴の1つは,低オン抵抗性であり,電力損失を最小限に抑え,パワーモーターアプリケーションの効率を向上させるのに役立ちます.高電圧のピークに耐えて 安定した性能を維持するために 100% 雪崩テストを受けました.
このMOSFETは低Cissも有し,インプット容量が低いことを意味します.これは変換機などの高速スイッチが必要とされるアプリケーションで重要です.MOSFET は,ゲート・ソース電圧 (Vgs) が ±30V幅広い用途に適している.
高電圧MOSFETは,さまざまな電力アプリ... もっと見る
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