高功率半導体
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優れたゲート充電 Nチャネルスーパージャンクション MOSFET 4A650V LCS65R900 高功率半導体
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ブランド: Lingxun
優れたゲート充電 Nチャネルスーパージャンクション MOSFET 4A650V LCS65R900 高功率半導体
Id:4A
Vdss: 650V
Rdson-type ((@Vgs=10V):840mオー
特徴:
• 高密度超交差点設計
優れたゲートチャージ × RDS (ON) 製品 (FOM)
• 超 低 抵抗
• 信頼 さ れ て 頑丈 な もの
応用:
• 医療機関SMPS
Q1. 私たちは誰ですか?
A: 私たちは,中国,広東に拠点を置く,工場は2012年から開始, パワー半導体デバイスのパッケージングとテストに焦点を当てた国家ハイテク企業です.現在180以上の従... もっと見る
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11A 650V 340mΩ TO-252 スイッチングチャージャーのための高功率MOSFET
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ブランド: Lingxun
ハイライト:TO-252 高功率MOSFET, 充電器を切り替える高電力MOSFET, 650V 高功率MOSFET
11A 650V 340mΩ TO-252 スイッチングチャージャーのための高功率MOSFET
NチャネルスーパージャンクションMOSFET
部品番号:LC65R380D
パッケージ:TO-252
主要な特徴
私はD11A
VDSS: はい650V
RDSON型 VGS=10V:340mΩ
特徴
• 優れた技術を提供するために先進的な溝技術を採用
RDS ((ON),低ゲート充電とゲート電圧で動作する
この装置は,電圧の低さ4.5Vまで
バッテリー保護または他のスイッチングアプリケーション.
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/... もっと見る
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TO-220F メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ 15A 600V 274mΩ
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ブランド: Lingxun
ハイライト:メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ, TO-220F メタルオキシド半導体, フィールド効果トランジスタ 15A
15A 600V 274mΩ TO-220F 金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ
NチャネルスーパージャンクションMOSFET
部品番号:LC60R280F
パッケージ:TO-220F
主要な特徴
私はD15A
VDSS: はい600V
RDSON型 VGS=10V:274mΩ
特徴
• ゲート 料金 の 低さ
•チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM)
• 切り替えと伝導損失が非常に少ない
• 非常高い変換耐久性
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
電気通信/サーバーの電源
• AC... もっと見る
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高電圧N型低漏れ性高電力の半導体
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ブランド: Lingxun
ハイライト:N型 高功率半導体, 低漏れ性高電力半導体, N型 高圧半導体
製品説明:
温度抵抗 電圧 低ジャンクション 容量 低漏れ N パワー半導体
このN型半導体は低漏れと低接続容量により高電圧アプリケーションに最適化されています.高電圧 と 電流 を 処理 する 能力 に よっ て,発電 や 配電 に 用い られる よう に なり ます電気自動車から医療機器まで この半導体は テクノロジーの進歩と 世界的なエネルギー効率の向上に不可欠です
この半導体は高電圧能力に加えて 耐久性や信頼性も備えています耐熱性 の 高い 温度 や 厳しい 環境 に 耐える よう に なる要求の厳しい用途でも使えます
高圧電源半導体を探しているなら 高電流を効率的に処理できる 急速... もっと見る
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低スイッチ高電源半導体 15A 650V 238mΩ DC-DC変換器用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:低スイッチング高電力半導体, 高功率半導体 15A, 高功率半導体 650V
15A 650V 238mΩ低スイッチング高電力半導体 DC-DC変換器用
NチャネルスーパージャンクションMOSFET
部品番号:LC65R280D
パッケージ:TO-252
主要な特徴
私はD15A
VDSS: はい650V
RDSON型 VGS=10V:238mΩ
特徴
• ゲート 料金 の 低さ
•チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM)
• 切り替えと伝導損失が非常に少ない
• 非常高い変換耐久性
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
電気通信/サーバーの電源
• AC-DC 電源... もっと見る
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19A 600V 160mΩ 工業用電源のための高功率半導体
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ブランド: Lingxun
ハイライト:600V 高電力の半導体, 19A 高功率半導体, 160mΩ 高功率半導体
19A 600V 160mΩ 産業用電源用低スイッチ高電源半導体
NチャネルスーパージャンクションMOSFET
部品番号:LC60R190D
パッケージ:TO-220F
主要な特徴
私はD19A
VDSS: はい600V
RDSON型 VGS=10V:160mΩ
特徴
• 切り替え と 導線 の 損失 を 減らす
• 速やかに 回復 する 体 ダイオード
• 下のゲート抵抗
• 100% 雪崩テスト
応用
• ソフトスイッチング トポロジー
• 電気通信及び電源供給事業
電気自動車の充電器と産業用電源
Q1. ... もっと見る
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20A 650V 150mΩ スイッチモード電源のための冷たいMOS
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ブランド: Lingxun
ハイライト:20A 冷たいMOS, スイッチされた電源 冷たいMOS, 650V 高電圧MOS
20A 650V 150mΩ 安定性と均一性 スイッチモード電源のための冷たいMOS
NチャネルスーパージャンクションMOSFET
部品番号:LC65R190F
パッケージ:TO-220F
主要な特徴
私はD:20A
VDSS: はい650V
RDSON型 VGS=10V:150mΩ
特徴
低RDS (オン) とFM
• 切り替え損失が非常に少ない
• 優れた安定性 と 均一性
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
電気通信/サーバーの電源
• AC-DC 電源
Q1.... もっと見る
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TO-252 表面マウント 高功率半導体 5A 500V 1.33Ω ヘアドライヤー用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:表面マウント 高功率半導体, TO-252 高功率半導体, 500V 高電力の半導体
5A 500V 1.33Ω TO-252 表面マウント ヘアドライヤー用の高性能半導体
Nチャネル強化モード電源MOSFET
部品番号:CS5N50A5
パッケージ:TO-252
主要な特徴
私はD5A
VDSS: はい500V
RDSON型 VGS=10V: 1.33Ω
特徴
• 速やかに 切り替える
• 低 ON 抵抗
• 低ゲート 料金
• 100% シングルパルス 雪崩エネルギーテスト
応用
• アダプターと充電器の電源スイッチ回路
Q1. 私たちは誰ですか?
A: 私たちは,中国,... もっと見る
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多用用途 高功率半導体 Nチャネル
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ブランド: Lingxun
多用用途 高功率半導体 Nチャネル
特徴
• ゲート 料金 の 低さ
•チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM)
• 切り替えと伝導損失が非常に少ない
• 非常高い変換耐久性
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
• 電気通信/サーバーの電源
• AC-DC 電源
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低漏れ Nチャネル 高功率 MOSFET TO-220F TO-263C TO-247AC
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ブランド: Lingxun
ハイライト:Nチャネル高電源MOS, 高功率MOSFET TO-247AC, TO-263C 高功率MOSFET
製品説明:
低電圧・低流出電源 MOSFET
N型高性能半導体は,低漏れと高温耐性を備えた半導体の一種である.高温 に 耐える 能力 に よっ て,厳しい 環境 に 使える よう に なり ますこの装置は高電圧アプリケーションに対応するように設計されており,発電と配送システム,輸送および消費者電子機器で使用するのに最適です.
ハイパワー半導体製品は,高速スイッチ速度を提供するように設計されており,高周波アプリケーションで使用するのに理想的です.この装置は高電力レベルを効率的に処理するように設計されていますエネルギー効率が不可欠な低電力アプリケーションで使用するために優れた選択になります.
ハ... もっと見る
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低漏れ Nチャネル 高電力 IGBT 工業用
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ブランド: Lingxun
ハイライト:N 高電力のIGBT, 工業用高電力IGBT, 産業用NチャンネルIGBT
製品説明:
低漏電電圧電源 IGBT 工業用
高圧電源IGBT,高圧電源冷却モス,および高圧離散装置は,この製品の主要な属性の一部です. 高圧と電流を効率的に処理する能力,迅速な切り替え能力と強力な熱管理電力発電や配送から 輸送や消費電子機器まで 様々な業界で 使うのに理想的な選択肢です
ハイパワー半導体は,優れた性能と信頼性を提供するN型半導体製品です.低漏れと高温耐性は,高電力と高効率を必要とするアプリケーションに理想的な選択になります高圧電源と信頼性を要求する要求の高いアプリケーションに最適なソリューションです.
高電圧の電源能力により 高電力の半導体は テクノロジーの進歩と 世界的な... もっと見る
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Nチャネル 低漏れ 低交差点容量 高功率半導体
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ブランド: Lingxun
ハイライト:Nチャネル 高功率半導体, 低漏れ性高性能半導体, 低コンセント容量電源半導体
製品説明:Nチャネル 低電圧 低漏れ 低接続容量 高温抵抗 パワー半導体高性能半導体製品は N型で 頑丈で耐久性があります電力損失を削減し,システムの全体的な効率を向上させるのに役立ちます.これらの半導体は,防衛や航空宇宙,電気自動車,消費者電子機器を含む多くの産業のアプリケーションに理想的です.高電圧と電流を効率的に処理する能力は,技術進歩とエネルギー効率の向上に不可欠です.高電圧電源IGBTを必要とするアプリケーションに適しています. その先進的な技術により,高電圧と電流を簡単に処理できます信頼性と効率性を確保する. 特徴:製品名: 高功率半導体タイプ:N耐熱性:高温耐性効率: 高効率電圧... もっと見る
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高電圧 低漏れ 冷たいモス 半導体 充電台
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ブランド: Lingxun
ハイライト:クールモス半導体, 漏れが少ない冷たいモス, 充電台 クールモス
製品説明:
低電圧 漏れ 冷却 モス 電力用半導体
この特定の製品は,低接続容量を持つタイプN半導体で,高電圧アプリケーションに最適です.高効率 の 装置 に よれ ば,電源 を 浪費 し ない 大量の 電流 を 処理 でき ます産業用および商業用アプリケーションのためのコスト効率の良いソリューションです.
この半導体は高効率のほか 高電圧も搭載しており 最も厳しい用途でも対応できます急速 に 切り替える 能力 に よっ て,パワー エレクトロニクス に 用い られる の に 理想 的 に なる効率を維持し,他のコンポーネントにダメージを与えないために高速な切り替え速度が必要である場合.
こ... もっと見る
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高電力 低漏れ Nチャネル IGBT 高温耐性
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ブランド: Lingxun
ハイライト:低漏れ Nチャネル IGBT, 高温耐 Nチャネル IGBT, N型 高出力IGBT
製品説明:
電力 高温耐低漏れ Nチャネル IGBT
高電圧電源半導体は 高電圧と電流を効率的に処理できるので 発電,配送,輸送,消費電子機器テクノロジーの進歩とエネルギー効率の向上には不可欠です
高電圧の電源IGBTを必要とするジュースメーカーなどのアプリケーションに最適です効率が高く,このような家電の電力需要を効果的に処理できるさらに,高温耐性は,極端な条件下で信頼性のある動作を保証し,工業用アプリケーションに理想的な選択となります.
高電力半導体製品では 信頼性と効率性の高い電力管理ソリューションを必要とする産業のニーズを満たすために設計されています高性能電子システムの必須部品です私た... もっと見る
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TO-247 Nチャネル 充電スタイルのための高性能半導体
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ブランド: Lingxun
ハイライト:TO-247 高功率半導体, 充電台 高功率半導体, Nチャネル電源半導体
製品説明:N型 高温耐性 低漏れ 低接続容量 パワー半導体この半導体は,低接続容量で設計されており,高速スイッチ速度を必要とする高周波アプリケーションに最適です.低リーク機能により,最小限の電力損失が確保されます.システムの全体的な効率を向上させる.ハイパワー半導体製品は,高電流負荷に対応でき,電気自動車やその他の高電源アプリケーションに最適な選択肢です.優れた性能により,様々な産業および商業用アプリケーションに理想的な選択になりますモーター制御,電源,インバーターを含む.この半導体は高電力処理能力に加えて 優れた熱管理性能も備えています高温 に 耐える 性能 の ため に,極端 な 状態 に... もっと見る
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N型高電圧トランジスタ TO-220F 低接続容量
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ブランド: Lingxun
ハイライト:N型高電圧トランジスタ, N型トランジスタ, 高電圧トランジスタ TO-220F
製品説明:
パワーN型低接続容量トランジスタ
この半導体のユニークな特徴の1つは,低回合容量である.この属性は,半導体がオンとオフに切り替わるときに最小限の電力損失があることを保証する.高周波アプリケーションで使用するのに最適です,例えば再生可能エネルギーシステムやスマート・グリッド技術などで,電力損失がシステムの全体的な性能に悪影響を及ぼす可能性があります.
さらに,High Power Semiconductorは高電圧装置であり,損傷なしに高電圧に耐える.これは,さまざまなアプリケーションで使用するのに適しています.効率的な電力管理を必要とするエアコンやその他の高電力家電.
半導体の堅... もっと見る
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高温耐性を持つNチャネル高性能半導体TO-220F
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ブランド: Lingxun
ハイライト:高功率半導体TO-220F, 耐熱性 高功率半導体, Nチャネル 高功率半導体
製品説明:
N型 低漏れ 低容量 高温耐性半導体
高電圧電源半導体は,高電圧と電流を効率的に処理する能力,堅牢な熱管理によって特徴付けられています.この半導体は例外ではありません.電気通信のインフラストラクチャで使用するのに最適です電力需要が高く,信頼性が不可欠である.
この半導体は高電圧能力に加えて 高温耐性も備えており 温度が急上昇する用途に最適です洗濯機や工業プロセスでもこの半導体は熱を簡単に処理できます
高性能半導体は,技術進歩とエネルギー効率の向上に不可欠なツールです.その応用は多くの産業に広がっています.高電圧と電流を効率的に処理する能力は,あらゆる電源システムに貴重な追加になり... もっと見る
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Nチャネル 低漏れ接続容量を持つ高電圧半導体
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納期: According to your order requirement
ブランド: Lingxun
ハイライト:Nチャネル 高電圧半導体, 低漏れ 高電圧半導体, 低ジャンクション容量電源半導体
製品説明:
低電圧 漏れ 交差点 容量 高温 耐久性 半導体 強化技術
高温耐性機能は,性能を損なうことなく高温環境で最適な機能を保証します.温度が変動する鉄道システムなどの高温耐性を要求するアプリケーションに最適です低漏れ機能は,最小限の電源損失があり,製品が効率的に動作することを保証します. これは鉄道システムのための電源半導体の選択において重要な考慮事項です.
高効率性属性とは,製品が効率的に電力を変換でき,最小限の熱損失と低電力消費を伴うことを意味します.これは,エネルギー効率が極めて重要な鉄道システムにおいて特に重要ですさらに,タイプNの特徴は,製品が他のタイプの半導体よりも電子を... もっと見る
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高温耐性,低漏れ,低接続容量を持つパワーMOSFET
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MOQ: According to your order requirement
納期: According to your order requirement
ブランド: Lingxun
製品説明:
高効率は高電力電子システムの重要な特性であり 私たちの製品はそれを提供するように設計されています システムが最小限のエネルギー損失で最適に動作することを保証しますエネルギーコストの削減に繋がりますこの製品の高効率性により,より長い距離を走るのに最大限のエネルギー利用を必要とする電気自動車にとって理想的な選択となります.
低流出特性により 低電力半導体製品が 最小の電力損失で動作しますエネルギー損失がシステムの非効率性やパフォーマンス問題につながる場合私たちの製品は漏れを減らすように設計され システムが最適に機能することを保証します
N型属性により 高電力半導体製品が 高電圧や電流... もっと見る
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低漏れ 低接続容量 高温 抵抗 電圧 Nチャネル パワー半導体
価格: According to your order requirement
MOQ: According to your order requirement
納期: According to your order requirement
ブランド: Lingxun
製品説明:
高電圧電源半導体は 高光度,高速スイッチング能力,高温耐性を要求する厳しい環境での使用に理想的です.高効率で優れた性能を持つ 高電力半導体製品は 発電や配送 輸送など多くの産業に最適です消費電子機器高電圧と電流を効率的に処理する能力と 熱管理能力がテクノロジーの進歩と世界のエネルギー効率の向上において 基本的な要素となります.
特徴:
製品名: 高功率半導体
高電圧電源半導体は,高速スイッチ機能と堅牢な熱管理により,高電圧と電流を効率的に処理する能力が特徴です.その応用は多くの産業に広がっています発電と配電から 交通機関や消費電子機器まで テクノロジーの進歩とエネルギー効率... もっと見る
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